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  • AT650/850T 臺式熱原子層沉積設(shè)備
    AT650/850T 臺式熱原子層沉積設(shè)備

    AT650/850T 臺式熱原子層沉積設(shè)備，具備現(xiàn)場升級為等離子體模式的能力，占地面積?。?8.1 厘米，寬 15 英寸），可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。

    更新時間：2025-07-31型號：瀏覽量：296
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